电子产品世界
业界动态
EEPW观点
网络与存储
论坛
博客
开发板试用
NAND 闪存相关
SK 海力士新设 AI 芯片开发和量产部门，任命首席开发官及首席生产官
网络与存储
2024-12-05
3Q24 NAND Flash营收季增4.8%，企业级SSD需求强劲，消费性订单未复苏
网络与存储
2024-11-28
三星大幅减少未来生产NAND所需光刻胶使用量
2024-11-27
三星将出售西安芯片厂旧设备及产线
网络与存储
2024-11-08
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
网络与存储
2024-10-29
TrendForce：预计 Q4 NAND Flash 合约价将下调 3% 至 8%
网络与存储
2024-10-15
三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
网络与存储
2024-09-24
三星首款！第八代V-NAND车载SSD发布：读取4400MB/s
网络与存储
2024-09-24
2024二季度NAND Flash出货增长放缓，AI SSD推动营收季增14%
网络与存储
2024-09-09
TrendForce：今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓，AI SSD 推动营收环比增长 14%
网络与存储
2024-09-09
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运
网络与存储
2024-08-12
1000层3D NAND Flash时代即将到来
网络与存储
2024-08-12
存储亮剑！NAND技术多点突破
网络与存储
2024-08-09
为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0
网络与存储
2024-08-01
消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪
网络与存储
2024-08-01
点击查看更多
